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Diamantförmig hohles Keramikwaferträger aus Siliziumkarbid mit hoher Wärmeleitfähigkeit und hoher Temperaturbeständigkeit bei 1400 °C für Halbleiteranwendungen

Einzelheiten zum Produkt

Herkunftsort: CN

Markenname: Dayoo

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Preis: CNY

Verpackung Informationen: Paket

Lieferzeit: 60 Arbeitstage

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: Fabrik

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Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung des Produkts

Hervorheben:

Hohe thermische Leitfähigkeit:	Ja	Thermoschockbeständigkeit:	Gut
Maximale Temperatur:	1380 ℃	Biegefestigkeit:	Mpa 280
Reinheit:	98 %	Druckfestigkeit:	> 2 GPa

Hohe thermische Leitfähigkeit:	Ja
Thermoschockbeständigkeit:	Gut
Maximale Temperatur:	1380 ℃
Biegefestigkeit:	Mpa 280
Reinheit:	98 %
Druckfestigkeit:	> 2 GPa

Diamantförmig hohles Keramikwaferträger aus Siliziumkarbid mit hoher Wärmeleitfähigkeit und hoher Temperaturbeständigkeit bei 1400 °C für Halbleiteranwendungen

Diamantförmiger Hohl-Siliziumkarbid-Keramik-Waferträger | Präzisions-Hohl-SiC-Keramik-Stützplatte

Produktvorstellung

Dieses Produkt ist ein Diamantförmiger Hohl-Siliziumkarbid-Keramik-Waferträger, hergestellt aus hochreinem Siliziumkarbid (SiC) Keramikrohstoffen. Er weist eine gesamte Diamantkontur mit mehrschichtiger ringförmiger radialer Hohlstruktur in der Mitte auf. Hergestellt durch Hochtemperatursintern unter Atmosphärendruck und Präzisionsbearbeitung, zeichnet er sich durch hohe Dichte, leichte Struktur und ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit aus. Das Hohl-Design reduziert effektiv das Eigengewicht und verbessert die Gaszirkulation. Er dient als zentrale tragende Keramikkkomponente für Hochtemperatur-Prozessanlagen.

Anwendungen

Weit verbreitet in der Wärmebehandlung von Halbleiterwafern, dem Sintern von Photovoltaik-Siliziumwafern, dem Auslagern von optischen Komponenten, Vakuum-Hochtemperaturöfen und anderen Anlagen. Er fungiert als Waferträger, Luftleitblech und Hochtemperatur-Vorrichtung, unterstützt Werkstücke und gewährleistet gleichzeitig eine gleichmäßige Luftströmung und Temperaturverteilung im Ofen.

Kernvorteile

Hervorragende Hochtemperaturbeständigkeit: Dauerbetriebstemperatur bis 1400℃, stabile Abmessungen unter hoher Temperatur.
Ausgeglichene Wärmeleitfähigkeit & Große thermische Stabilität: Hohe Wärmeleitfähigkeit und überlegene thermische Schockbeständigkeit, beständig gegen Rissbildung bei wiederholten Heiz- und Kühlzyklen.
Hohe Reinheit & Kontaminationsfrei: Geringe Verunreinigungsausscheidung, verhindert Kontamination von Wafern und Präzisionskomponenten.
Leichte Hohlstruktur: Reduziert das Gewicht und optimiert die Luftzirkulation für schnelleres Aufheizen und Abkühlen.

Spezifikationsparameter

表格

Artikel	Parameter
Material	Drucklos gesintertes Siliziumkarbid (SiC) Keramik
Dichte	≥3.10g/cm³
Biegefestigkeit	≥350MPa
Dauerbetriebstemperatur	≤1400℃
Maßtoleranz	±0.02mm
Porosität	＜0.5%

Produktionsprozess

Rohmaterialmischung & Granulierung → Unregelmäßige Form Trockenpressformung → Hochtemperatursintern → Oberflächenpräzisionsschleifen → CNC-Hohlfräsen → Oberflächenpolieren → Ultraschallreinigung → Vollständige Maßprüfung → Vakuumverpackung

Gebrauchsanweisung

Den Träger vor dem ersten Gebrauch vollständig ausbacken, um adsorbierte Verunreinigungen zu entfernen.
Werkstücke beim Auflegen vorsichtig handhaben, um Stöße an Kanten und Ecken zu vermeiden.
Heiz- und Kühlrate kontrollieren, um starke thermische Schocks zu minimieren.
Regelmäßig Sedimente in den Hohlschlitzen reinigen, um eine reibungslose Luftströmung aufrechtzuerhalten.

After-Sales-Service

Anpassung von Hohlmustern und Gesamtmaßen nach Zeichnungen oder Mustern, Prototypen-Testservice verfügbar. Alle Produkte werden vor der Lieferung vollständig geprüft, mit Prüfberichten. After-Sales-Lösung für nicht-künstliche Qualitätsmängel. Professionelle technische Unterstützung bei der Auswahl von Hochtemperatur-Arbeitsbedingungen.

FAQ

F: Was sind die Vorteile eines SiC-Trägers im Vergleich zu einem Aluminiumoxid-Keramik-Träger?

A: Siliziumkarbid hat eine bessere Hochtemperaturbeständigkeit, Wärmeleitfähigkeit und thermische Schockbeständigkeit, was besser für Wärmebehandlungsprozesse mit anhaltend hohen Temperaturen und häufigen thermischen Zyklen geeignet ist.

F: Können Hohlmuster und Außenmaße geändert werden?

A: Ja. Das äußere Profil, die Hohlstruktur und die Plattendicke können entsprechend der Werkstückgröße angepasst werden.

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