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Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

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Herkunftsort: CN

Markenname: Dayoo

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Preis: CNY

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Versorgungsmaterial-Fähigkeit: Fabrik

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Beschreibung des Produkts

Hervorheben:

Hohe thermische Leitfähigkeit:	Ja	Thermoschockbeständigkeit:	Gut
Maximale Temperatur:	1380 ℃	Biegefestigkeit:	Mpa 280
Reinheit:	98 %	Druckfestigkeit:	> 2 GPa

Hohe thermische Leitfähigkeit:	Ja
Thermoschockbeständigkeit:	Gut
Maximale Temperatur:	1380 ℃
Biegefestigkeit:	Mpa 280
Reinheit:	98 %
Druckfestigkeit:	> 2 GPa

Diamond-Shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier with High Thermal Conductivity and 1400℃ High-temperature Resistance for Semiconductor Applications

Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier | Precision Hollow SiC Ceramic Support Plate Product Introduction This product is a Diamond-shaped Hollow Silicon Carbide Ceramic Wafer Carrier, manufactured from high-purity silicon carbide (SiC) ceramic raw materials. It features an overall diamond outline with multi-layer annular radial hollow structure in the center. Fabricated via atmospheric pressure high-temperature sintering and precision machining, it boasts

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