Hochreines Aluminiumoxid-Keramik mit einem Volumenwiderstand von 10^4 Ohm*cm für Halbleiteranwendungen

Hochreine Aluminiumkeramik mit Volumenwiderstand von 10 4 Ohm*cm für Halbleiteranwendungen

Diese Serie von Halbleiter-spezifischen Aluminiumsäure-Keramikkomponenten wird durch Präzisionsbandguss und Hochtemperatur-Sinterungsprozesse mit 99,6% hochreinem Al2O3-Material hergestellt.Die Produkte weisen eine ausgezeichnete Isolierung auf., Korrosionsbeständigkeit und Maßstabstabilität, die den Reinheitsanforderungen der SEMI-Norm F47 entsprechen.

Primäre Halbleiteranwendungen

• Herstellung von Wafern: Keramikteile von Ätzmaschinen, Diffusionsboote

• Verpackung und Prüfung: Substrate für Sondenkarten, Versuchssteckdosen

• Komponenten der Ausrüstung: Roboter-End-Effektoren

• Vakuumsysteme: Elektrostatische Schlagstützen

• Optische Prüfung: Keramikleitungen für Lithographiegeräte

Produktvorteile

✓ Ultrarein: Metallionengehalt < 0,1 ppm
✓ Präzisionsgrößen: Toleranz ±0,05 mm/100 mm
✓ Plasmawiderstand: Ätzgeschwindigkeit < 0,1 μm/h
✓ Niedrige Ausgasung: TML<0,1% CVCM<0,01%
✓ Hohe Zuverlässigkeit: Übersteigt 1000 thermische Zyklen

Technische Spezifikation

Halbleiterherstellungsprozess

1. Materialvorbereitung:

   • Al2O3-Pulver in Nanotechnologie (D50≤0,5μm)

   • Hochreine Kugelfräsen (Y2O3-MgO-Sintermittel)

2. Formverfahren:

   • Gießband (Stärke 0,1 bis 5 mm)

   • Isostatisches Pressen (200MPa)

3. Zersplitterungssteuerung:

   • Mehrstufiges Atmosphärensintern (1600°C/H2)

   • HIP-Nachbehandlung (1500°C/150MPa)

4. Präzisionsbearbeitung:

   • Laserbearbeitung (± 5 μm)

   • Ultraschallbohrungen (Aspektverhältnis 10:1)

5. Reinigung und Kontrolle:

   • Megasonische Reinigung (Reinigungsräume der Klasse 1)

   • Prüfung von Partikeln nach SEMI F47

Anwendungsrichtlinien

Aufbewahrung: Saubere Verpackungen der Klasse 100
️ Installationsumgebung: 23±1°C RH45±5%
Reinigung: Nur mit Halbleiterlösungsmitteln
Handhabung: Vermeiden Sie direkten Kontakt mit funktionalen Oberflächen

Dienstleistungen im Bereich Halbleiter

• Überprüfung der Reinheit: Prüfberichte des VDA19

• Fehleranalyse: SEM/EDS-Mikroanalyse

• Maßgeschneiderte Entwicklung: DFM-Codesign

Häufig gestellte Fragen

F: Wie kann die Reinheit der Kontaktoberfläche der Wafer gewährleistet werden?
A: Dreifacher Schutz:
1 Aktivation der Plasmaoberfläche
2 Vakuumverpackung + Lagerung von N2
3 Ionisierte Luftreinigung vor der Installation

F: Leistung im Fluor-basierten Plasma?
A: Speziell behandelte Version:
• Ätzgeschwindigkeit < 0,05 μm/h
• AlF3-Passivationsschicht
• 3 mal länger

F: Maximale verarbeitbare Größe?
A: Standard 200 × 200 mm, spezieller Prozess bis 400 × 400 mm.